[发明专利]一种单晶硅电池片扩散提效及扩散后处理氧化工艺

摘要

本发明公开了一种单晶硅电池片扩散提效及扩散后处理氧化工艺，属于太阳能电池片生产设备技术领域，一种单晶硅电池片扩散提效及扩散后处理氧化工艺，包括将单晶硅电池片置入快速平衡高温加热炉内，开启快速平衡高温加热炉，将炉体内温度升高至700‑800℃并快速达到温度平衡状态，通入含有POC13的氮气和氧气，进行扩散等步骤，可以实现将单晶硅电池片的扩散和扩散后处理氧化工艺同时在快速平衡高温加热炉内进行，快速平衡高温加热炉内设置的多个温度调节机构和导热机构可以快速加工炉体内的温度调节至平衡状态，保证炉体内部各个不问温度均匀，不仅有效节约了能源，平衡的温度还可以有效提升单晶硅电池片的扩散和氧化效果。