[发明专利]一种石墨烯/黑硅复合结构光电探测器结构在审
| 申请号： | 202110016531.X | 申请日： | 2021-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN112768535A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 邓国亮;李悦;杨莫愁;周昊 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/028;H01L31/101 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种综合黑硅以及石墨烯各自优点的石墨烯/黑硅光电复合探测器结构，属于光电探测技术领域，其包括Si衬底（5）、位于Si衬底（5）表面的重掺杂层（3）、位于重掺杂层（3）上方的石墨烯层（2）、设置在石墨烯层（2）上表面的上端电极（1）以及覆盖整个Si衬底（5）下表面的金属下端电极（4）；所述石墨烯层（2）与上端电极（1）之间形成欧姆接触。本发明解决了传统黑硅光电探测器载流子导出效率低和传统硅光电探测器探测波长范围有限的问题，能提高硅基探测器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 复合 结构 光电 探测器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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