[发明专利]叠层结构体以及包括其的半导体器件、半导体设备和电子设备、和制造叠层结构体的方法在审
| 申请号： | 202110022063.7 | 申请日： | 2021-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN113745327A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 许镇盛;文泰欢;南胜杰;赵常玹 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/28;H01L21/44;H01L29/78;H01L49/02;H01L51/05;H01L51/10;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王华芹;金拟粲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供叠层结构体以及包括其的半导体器件、半导体设备和电子设备、和制造叠层结构体的方法。所述叠层结构体包括：基底；和在所述基底上的薄膜结构体，所述薄膜结构体包括：平行于所述基底的第一反铁电层，平行于所述基底的第二反铁电层，以及平行于所述基底的铁电层，其中所述铁电层在所述第一反铁电层和所述第二反铁电层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 以及 包括 半导体器件 半导体设备 电子设备 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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