[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202110022516.6 | 申请日： | 2021-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN112885715A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 刘金彪;罗军;李俊峰;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L29/40;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种半导体器件的制造方法，包括：提供包括源/漏区和栅极堆叠的衬底；在源/漏区表面形成光吸收层；采用激光加热对形成有光吸收层的所述源/漏区进行非晶化注入处理；去除所述光吸收层以露出非晶化注入处理的所述源/漏区表面；在露出的非晶化注入处理的所述源/漏区表面形成掺杂膜层；对形成有掺杂膜层的所述源/漏区表面进行退火处理。采用本申请的激光技术进行非晶化注入处理，以及随后的退火处理，能够同时替代了原有的预非晶化离子注入(PAI)和接触孔注入，从而有效减少以往再结晶层的下面区域所产生的缺陷，从而提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
