[发明专利]一种用于图像传感器的形成方法及图像传感器在审
| 申请号： | 202110023544.X | 申请日： | 2021-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN114743999A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 李杰;赵立新 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种用于图像传感器的形成方法及图像传感器，该方法至少包括：提供单晶硅衬底；于所述单晶硅衬底上形成第一凹槽；以单晶硅作为阻挡，对所述单晶硅衬底进行离子注入，于所述第一凹槽下方的单晶硅衬底中形成第一离子掺杂区域。通过利用单晶硅为阻挡层进行离子注入，于半导体衬底中形成具有较深的离子掺杂区，可以形成具有小像素的图像传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 图像传感器 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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