[发明专利]一种大尺寸硅片研磨工艺在审
申请号: | 202110024202.X | 申请日: | 2021-01-08 |
公开(公告)号: | CN113001392A | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 裴坤羽;祝斌;刘姣龙;袁祥龙;武卫;刘建伟;刘园;由佰玲;吕莹;徐荣清;常雪岩;张宏杰;刘秒;杨春雪;谢艳;孙晨光;王彦君 | 申请(专利权)人: | 天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司 |
主分类号: | B24B37/04 | 分类号: | B24B37/04;B24B37/08;H01L21/02 |
代理公司: | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 栾志超 |
地址: | 300384 天津市滨海*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明提供一种大尺寸硅片研磨工艺,包括:将硅片放入游星盘中,加入研磨液;上磨盘和下磨盘开始研磨所述硅片,上磨盘气缸的压力为轻压范围,所述上磨盘和所述下磨盘以一定转速研磨一段时间;将所述上磨盘气缸的压力由所述轻压范围调整至中压范围,所述上磨盘和所述下磨盘转速不变,研磨一段时间;将所述上磨盘气缸的压力由所述中压范围调整至高压范围,所述上磨盘和所述下磨盘转速不变,研磨一段时间。本发明的有益效果是有效的解决现有技术研磨效率低,且磨后硅片表面不平整,影响硅片的性能和质量的问题,还有硅片表面的总厚度变化变化大导致需要经常更换研磨液,现有的游星盘容易混乱硅片的加工顺序,致使生产效率降低的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 尺寸 硅片 研磨 工艺 | ||
【主权项】:
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