[发明专利]碳化硅晶须增强的多孔氧化镁-碳陶瓷过滤器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110025203.6 | 申请日： | 2021-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN112876268B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 鄢文;彭望定;鄢俊杰;陈哲;梁雄;李光强 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B38/06;C04B35/04;C04B35/622;C04B35/66;B01D39/20 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430081 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硅晶须增强的多孔氧化镁‑碳陶瓷过滤器及其制备方法。其技术方案是：以改性多孔镁质细粉、改性煤焦油沥青粉、单质硅粉和羧甲基纤维素钠为原料，加入减水剂、消泡剂、铝溶胶和去离子水，搅拌，得到具有触变性的陶瓷浆体。将预处理聚氨酯泡沫浸入具有触变性的陶瓷浆体中，取出后挤压，养护，干燥，在埋碳和1150～1250℃条件下保温，冷却；将冷却后的多孔氧化镁‑碳陶瓷过滤器预烧体浸渍于具有触变性的陶瓷浆体中，真空静置，离心处理，干燥，埋碳条件下于1400～1500℃保温，冷却，制得碳化硅晶须增强的多孔氧化镁‑碳陶瓷过滤器。本发明所制制品过滤效果优异、强度高和热震稳定性好。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 增强 多孔 氧化镁 陶瓷 过滤器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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