[发明专利]一种功率半导体芯片元胞的热电耦合建模方法有效
| 申请号： | 202110025236.0 | 申请日： | 2021-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN112699588B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 李武华;陈宇;吴强;周宇;罗皓泽;何湘宁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G06F30/23 | 分类号： | G06F30/23;G06F30/398;G06F17/13;G06F17/14;G06F111/10;G06F119/08 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 郑海峰 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率半导体芯片元胞的热电耦合建模方法，包括以下步骤：S1、将功率半导体芯片划分为多元胞结构；S2、提取芯片的电压‑电流‑温度三维模型；S3、提取元胞的电压‑电流‑温度三维模型；S4、求出任一温度分布下元胞电流分配比例和相应损耗；S5、各元胞产生温升叠加得到芯片整体温度梯度；S6、重复步骤S4、S5直至温度梯度偏差收敛；S7、提取不同工况条件下的芯片表面温度峰值，计算对应的功率模块热阻。本发明通过将芯片集总式傅里叶级数解析热模型与多元胞分布式电学模型进行结合，实现了功率半导体芯片元胞的热电耦合建模与计算。另外，本发明所需计算量小、求解时间短、不存在收敛性问题，特别适合功率半导体芯片温度的在线预测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体 芯片 热电 耦合 建模 方法 | ||
【主权项】：
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