[发明专利]基于碳化硅平面型MOS结构的肖特基二极管有效
| 申请号： | 202110025615.X | 申请日： | 2021-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN112838131B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 夏华忠;黄传伟;李健;诸建周;吕文生;谈益民 | 申请（专利权）人： | 江苏东海半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京盛询知识产权代理有限公司 11901 | 代理人： | 郭成文 |
| 地址： | 214142 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件，尤其是一种基于碳化硅平面型MOS结构的肖特基二极管。按照本发明提供的技术方案，所述基于碳化硅平面型MOS结构的肖特基二极管，在所述肖特基二极管的截面上，包括半导体衬底以及设置于所述半导体衬底上的P型阱区，在所述P型阱区的一侧设置负极区结构，在所述P型阱区的另一侧设置正极区结构，且P型阱区与位于所述P型阱区上的栅结构区接触，在所述栅结构区上设置栅极金属，所述栅极金属与栅结构区欧姆接触。本发明有效地降低该半导体器件的开关损耗和提高其开关速度，还可以实现MOS栅沟道控制肖特基二极管的开关，进而提高肖特基二极管的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 碳化硅 平面 mos 结构 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
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