[发明专利]基于碳化硅平面型MOS结构的PIN二极管有效
| 申请号： | 202110025621.5 | 申请日： | 2021-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN112838129B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 夏华忠;黄传伟;李健;诸建周;吕文生;谈益民 | 申请（专利权）人： | 江苏东海半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214142 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于碳化硅平面型MOS结构的PIN二极管。其包括半导体衬底，在所述半导体衬底上设置P型阱区、N型阱区以及低掺杂本征半导体区，P型阱区通过低掺杂本征半导体区与N型阱区间隔，低掺杂本征半导体区分别与P型阱区、N型阱区邻接；还包括正极区结构、负极区结构以及分裂栅区结构，正极区结构与与P型阱区适配连接，负极区结构与N型阱区适配，分裂栅区结构位于正极区结构与负极区结构之间；本发明能有效地降低PIN二极管的开关损耗，提高PIN二极管的开关速度，还可以实现碳化硅PIN二极管的自修复，进而提高PIN二极管的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 碳化硅 平面 mos 结构 pin 二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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