[发明专利]一种利用有机半导体掺杂制备高迁移率晶体管的方法在审
| 申请号： | 202110027184.0 | 申请日： | 2021-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN112864323A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 朱远惟;鲁万龙;俞金德;胡志鹏;鲁广昊 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 闵岳峰 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用有机半导体掺杂制备高迁移率晶体管的方法，包括步骤：1)选择合适的衬底，裁剪后清洗；2)对衬底表面进行绝缘聚合物修饰；3)在绝缘聚合物修饰后的衬底上真空蒸镀有机半导体材料；4)使用掩膜版，在有机半导体层上蒸镀金作为源极、漏极得到有机场效应晶体管；5)在有机场效应晶体管沟道内掺杂，真空蒸镀P型掺杂剂分子。本发明通过借助有机半导体掺杂的手段，提高有机场效应晶体管的器件性能，在保证开关比基本保持不变的情况下，提高迁移率，减低阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 有机半导体 掺杂 制备 迁移率 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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