[发明专利]半导体器件结构，制备方法及电子设备在审
| 申请号： | 202110027472.6 | 申请日： | 2021-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN112864141A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 李学会;魏炜;刘诚;孙军;温正欣;和巍巍;汪之涵;傅俊寅 | 申请（专利权）人： | 深圳基本半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L25/00;H01L29/739;H01L29/872 |
| 代理公司： | 深圳睿臻知识产权代理事务所(普通合伙) 44684 | 代理人： | 张海燕 |
| 地址： | 518122 广东省深圳市坪山区坑梓街道办*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供了一种半导体器件结构，制备方法及电子设备，所述半导体器件结构包括绝缘栅双极型晶体管芯片和肖特基二极管芯片，所述绝缘栅双极型晶体管芯片和肖特基二极管芯片反并联合封设置，本申请实施例通过将绝缘栅双极型晶体管芯片与肖特基二极管芯片充分组合与利用，使绝缘栅双极型晶体管器件减小功耗，降低温升，进而提高系统效率，使设备小型化和轻型化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 制备 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
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