[发明专利]一种半导体芯片寄生电容的测试方法及装置有效
| 申请号： | 202110027707.1 | 申请日： | 2021-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN112881882B | 公开（公告）日： | 2023-02-07 |
| 发明（设计）人： | 黄寓洋 | 申请（专利权）人： | 苏州苏纳光电有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28;H01L21/66 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体芯片寄生电容的测试方法及装置，所述方法包括：测试芯片的总电容，测试芯片内部的Pad寄生电容，测试芯片的有源区电容，根据总电容、Pad寄生电容和有源区电容，计算芯片的爬坡寄生电容。本发明可以有效地计算出芯片的爬坡寄生电容，从而可以对该电容进行具体调整，进而减小该电容对高速芯片带宽的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 芯片 寄生 电容 测试 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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