[发明专利]半导体装置及其形成方法在审
| 申请号： | 202110030332.4 | 申请日： | 2021-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN113140536A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 刘旭伦;吕文雄;郑明达;颜晨恩;杨政龙;黄冠智 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种半导体装置及其形成方法。公开了一种贯孔，包括在第一区域中具有第一开孔且在第二区域中具有第二开孔的侧壁，也公开了上述贯孔的形成方法。在一个实施例中，半导体装置包含：第一基板；以及贯孔，延伸穿过基板，基板包含：多个第一开孔，在基板的第一区域中邻近贯孔；以及多个第二开孔，在基板的第二区域中邻近贯孔，多个第一开孔的每个开孔具有第一深度，多个第二开孔的每个开孔具有第二深度，第一深度大于第二深度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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