[发明专利]一种超薄一维有机单晶阵列薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202110030859.7 | 申请日： | 2021-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN112786785B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 张钰;吴雨辰;江雷 | 申请（专利权）人： | 季华实验室 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L51/30;H01L51/05 |
| 代理公司： | 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 | 代理人： | 陈志超;唐敏珊 |
| 地址： | 528200 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种超薄一维有机单晶阵列薄膜及其制备方法和应用，包括以下步骤：（1）在基底上滴加第一有机半导体溶液；（2）取表面刻蚀有硅柱的另一氧化硅片，将刻蚀有硅柱的一面覆盖在第一有机半导体溶液之上，在50‑120℃下加热；（3）滴加第二有机半导体溶液，第二有机半导体溶液覆盖基底，在50‑120℃下加热。采用本发明所提供的制备方法得到的超薄一维有机单晶阵列薄膜，厚度薄，取向度好，有利于工业化大规模生产应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 有机 阵列 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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