[发明专利]半导体结构制作方法及半导体结构在审
| 申请号： | 202110032629.4 | 申请日： | 2021-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN114765130A | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 杨蒙蒙;白杰 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 张娜;黄健 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例属于半导体制作技术领域，涉及一种半导体结构制作方法及半导体结构，用于解决半导体结构性能较差的问题。该半导体结构制作方法包括：提供基底，基底包括第一区域以及第二区域；在基底上形成介质层；在介质层上形成具有第一金属氧化物层的第一扩散膜层；去除第二区域对应的第一扩散膜层；在第二区域对应的介质层上形成第二扩散膜层，第二扩散膜层包括与介质层接合的第二金属氧化物层；退火处理，使第一金属氧化物层中的第一金属元素扩散至第一区域对应的介质层中，同时使第二金属氧化物层中的第二金属元素扩散至第二区域对应的介质层中；由于第二金属氧化物层与介质层接触，第二金属元素易扩散至介质层中，从而提高半导体的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
