[发明专利]低导通电阻沟槽型功率半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 202110032713.6 | 申请日： | 2021-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN112838010A | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 胡盖;夏华秋;夏华忠;黄传伟;李健;诸建周 | 申请（专利权）人： | 江苏东海半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214142 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种沟槽型功率半导体器件的制备方法，尤其是一种低导通电阻沟槽型功率半导体器件的制备方法。本发明通过在元胞沟槽的槽底注入第一导电类型杂质离子，以能在元胞沟槽槽底的下方得到优化注入区，通过优化注入区能降低第一导电类型外延层的电阻率，使得导通电阻降低幅度远大于击穿电压的幅度，保证了击穿电压耐量的同时导通电阻有效的降低。在击穿电压有3%~5%余量的情况下，能优化15%~20%的导通电阻，此方法仅增加一步离子注入的工艺，工艺流程简单且制造成本也不会很高的增加，与现有工艺兼容，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 通电 沟槽 功率 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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