[发明专利]利用固态碳源的无气流MPCVD单晶金刚石生长方法有效
| 申请号： | 202110034019.8 | 申请日： | 2021-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN112877773B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 朱嘉琦;李一村;代兵;郝晓斌;赵继文;张森 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/04 |
| 代理公司： | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人： | 侯静 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 利用固态碳源的无气流MPCVD单晶金刚石生长方法，本发明要解决现有MPCVD法单晶金刚石生长工艺中需要消耗大量高纯氢气，碳源利用率较低的问题。单晶金刚石生长方法：一、清洗金刚石籽晶；二、将单晶金刚石籽晶放置于样品台中心的样品托上，将固态碳源放置于单晶金刚石籽晶的四周；三、将反应舱内抽真空，随后通入高纯氢气，并升高气压与微波功率；四、在无气流稳定生长过程中，采用光谱仪对反应舱内的等离子体进行监控，通过调节微波功率来调节固态碳源表面的温度；五、结束生长。本发明在无气流生长过程中，原子氢刻蚀固态碳源产生碳氢基团，随后通过热扩散粒子输运到金刚石籽晶表面，此过程持续循环进行，实现单晶金刚石的快速生长。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 固态 碳源 气流 mpcvd 金刚石 生长 方法 | ||
【主权项】：
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