[发明专利]制造半导体器件的方法及半导体器件在审
| 申请号： | 202110034048.4 | 申请日： | 2021-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN113299743A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 张正伟;黄昱明;曾奕森;张根育;刘奕莹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/417;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： |
方法包括提供结构，该结构包括：半导体衬底，位于半导体衬底上方的外延源极/漏极部件，以及位于外延源极/漏极部件上方的一个或多个介电层；在一个或多个介电层中蚀刻孔，以暴露外延源极/漏极部件的部分；在外延源极/漏极部件的部分上方形成硅化物层；在硅化物层上方形成导电阻挡层；以及对至少导电阻挡层应用等离子体清洁工艺，其中等离子体清洁工艺使用包括N |
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| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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