[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件在审
| 申请号： | 202110034133.0 | 申请日： | 2021-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN113380890A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 沙哈吉·B·摩尔;钱德拉谢卡尔·普拉卡斯·萨万特;余典卫;蔡家铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体器件包括：栅极结构，设置在沟道区域和源极/漏极区域上方。栅极结构包括：栅极介电层，位于沟道区域上方；一个或多个功函调整材料层，位于栅极介电层上方；以及金属栅电极层，位于一个或多个功函调整材料层上方。一个或多个功函调整层包括含铝层，并且扩散阻挡层设置在含铝层的底部和顶部中的至少一个处。扩散阻挡层是富钛层、钛掺杂层、富钽层、钽掺杂层和硅掺杂层中的一个或多个。本申请的实施例还涉及制造半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
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