[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202110034361.8 | 申请日： | 2021-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN113113491A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 钟政庭;蔡庆威;程冠伦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 根据本发明实施例的半导体器件包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括多个第一沟道构件和环绕多个第一沟道构件中的每一个的第一栅极结构。第二晶体管包括多个第二沟道构件和设置在多个第二沟道构件上方的第二栅极结构。多个第一沟道构件中的每一个具有第一宽度和小于第一宽度的第一高度。多个第二沟道构件中的每一个具有第二宽度和大于第二宽度的第二高度。本申请的实施例还提供一种形成半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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