[发明专利]低剩磁非晶纳米晶软磁材料的制备方法有效
| 申请号： | 202110034499.8 | 申请日： | 2021-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN112877616B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 宫明龙;李玉山;李岳池;李新华 | 申请（专利权）人： | 秦皇岛市燕秦纳米科技有限公司;东北大学秦皇岛分校 |
| 主分类号： | C22C45/02 | 分类号： | C22C45/02;C22C33/00;B22D11/06;C21D9/52;C21D1/26;C21D6/00;H01F1/153 |
| 代理公司： | 北京联创佳为专利事务所(普通合伙) 11362 | 代理人： | 郭防 |
| 地址： | 066000 河北省秦皇岛市*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了低剩磁非晶纳米晶软磁材料的制备方法，S1配料；S2熔炼合金锭；S3制备非晶带材；S4验证非晶材料；S5退火制纳米晶结构；S6验证非晶晶化；S7用振动样品磁强计测量S5所得非晶带材的磁化强度与矫顽力。非晶纳米晶带材通过晶化退火后获得优异的软磁性能，退火相是由非晶相和纳米晶析出相组成的复合相，纳米晶相析出提高了材料的饱和磁感应强度，纳米晶相之间的交换耦合作用又使材料保持较小的矫顽力，同时剩磁低，因此具有优异的软磁性能。其低剩磁是一项很重要的指标，在应用中能够为产品提供更好的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 剩磁 纳米 晶软磁 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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