[发明专利]一种半导体专用氧化铜粉体材料制备工艺有效
| 申请号： | 202110035435.X | 申请日： | 2021-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN112691770B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 陆寅 | 申请（专利权）人： | 江苏智微新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | B02C18/14 | 分类号： | B02C18/14;B02C18/18;B02C4/08;B02C4/30;B02C7/08;B02C7/12;B02C21/00;B22F9/04 |
| 代理公司： | 苏州国卓知识产权代理有限公司 32331 | 代理人： | 马德龙 |
| 地址： | 225400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开的属于氧化铜粉体材料技术领域，具体为一种半导体专用氧化铜粉体材料制备工艺，其技术方案是：包括一种制备方法，具体步骤如下：S1：将铜片放入干燥箱内进行加热干燥，S2：将干燥后的铜片放入破碎箱中进行破碎，S3：铜片经过齿轮螺杆和螺纹铰刀螺杆破碎成碎片，掉落在研磨装置内部的通孔，S4：研磨装置通过驱动装置带动第一粉碎盘和第二粉碎盘转动，对铜片进行粉碎，S5：在研磨装置离心力的作用下，使铜片碎末进入第一粉碎盘和第二粉碎盘内部的通孔，在研磨盘的作用下，将铜片研磨成细小粉末，本发明的有益效果是：达到确保氧化箱内的铜粉体氧化均匀，氧化纯度高的效果，且达到操作简单，使用方便的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 专用 氧化铜 材料 制备 工艺 | ||
【主权项】：
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