[发明专利]气密性射频MEMS器件的制作方法及气密性射频MEMS器件

摘要

本发明公开了一种气密性射频MEMS器件的制作方法及气密性射频MEMS器件，其中，该方法包括如下步骤：在衬底圆片上加工出TGV填实通孔结构；沉积生长出第一SiO2介质层，加工出传输线路及第一焊盘；沉积生长出第二SiO2介质层，加工出层间互联通孔结构；沉积生长出第三SiO2介质层，加工出下拉电极和第二焊盘；沉积生长出第四SiO2介质层，加工出接触凸点；沉积牺牲层，加工出键合环、锚点和上极板；释放牺牲层；制作封装盖板；进行圆片级金属键合；进行晶圆级植锡球并进行划片，从而得到最终的所述气密性射频MEMS器件。该方法制作出的气密性射频MEMS器件结构可靠，气密性好，射频性能好，寄生效应低，生产效率高，生产成本低，适于批量生产。