[发明专利]一种真空微波精炼工业硅制备6N多晶硅的方法及装置

摘要

本发明公开一种真空微波精炼工业硅制备6N多晶硅的方法及装置，将工业硅熔体流入一次氧化精炼炉中，通入混合气体Ⅰ，加入SiO2粉进行一次氧化精炼，再流入二次氧化精炼炉中，抽真空，通入混合气体Ⅱ，加入SiO2粉进行二次氧化精炼后，流入定向凝固坩埚中进行一次真空蒸发和定向凝固精炼，再升温进行二次真空蒸发精炼，冷却后取出硅锭，去头尾及边，破碎和筛分后装入反应器，抽真空，分别通入氩气和混合气体Ⅲ，进行微波等离子体真空蒸发和氧化挥发精炼，得到纯度不小于6N的多晶硅，硼、磷和铁等金属杂质均低于0.1ppm，电阻率约2.5Ω·cm，符合多晶硅太阳能电池材料的质量要求，经后续铸造或拉制单晶可获得优质高效的单晶硅太阳能电池材料。