[发明专利]一种碳化硅晶体生长炉石英管的清理方法在审

专利信息
申请号: 202110041610.6 申请日: 2021-01-13
公开(公告)号: CN112871891A 公开(公告)日: 2021-06-01
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
主分类号: B08B9/027 分类号: B08B9/027;B08B13/00
代理公司: 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 代理人: 荣玲
地址: 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 发明涉及一种碳化硅晶体生长炉石英管的清理方法,属于碳化硅晶体生长技术领域。为解决现有碳化硅晶体生长炉石英管不易清理的问题,本发明提供了一种碳化硅晶体生长炉石英管的清理方法,将K2MnF6与SbF5装入待清洗石英管,将石英管水平放置装入石英管式炉,升温至100~300℃保温,保温结束后随炉冷却。本发明提供的碳化硅晶体生长炉石英管的清理方法利用在加热条件下K2MnF6与SbF5反应产生的氟气(F2)的特殊性质将石英玻璃内壁清理干净,使用此方法不损伤腐蚀石英管,能提高其使用寿命,且清洗效率高,清洗完毕的石英管内壁恢复清澈透明。本发明能够大幅减少清理石英管所需电量,节省大量电能。
搜索关键词: 一种 碳化硅 晶体生长 石英管 清理 方法
【主权项】:
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