[发明专利]碳化硅沟道半导体器件在审
| 申请号： | 202110041843.6 | 申请日： | 2021-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN113206153A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 大卫·谢里丹;维平达斯·帕拉;马督儿·博德 | 申请（专利权）人： | 万国半导体国际有限合伙公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 张静洁;徐雯琼 |
| 地址： | 加拿大安大略多伦多国王西*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅沟道半导体器件，具有一个重掺杂第一导电类型的碳化硅衬底和一个轻掺杂第一导电类型的碳化硅漂流区，碳化硅漂流区位于碳化硅衬底上方。漂流区中的第一本体区掺杂第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型相反。第一本体区中的第一源极区重掺杂第一导电类型。栅极沟槽形成在第一源极区和第一本体区中。栅极沟槽的至少一个侧壁并行于碳化硅衬底的一个晶面，该晶面的载流子迁移率比C‑面更高。栅极沟槽将第一本体区和源极区的长度延伸到分离区域，分离区域位于第一区横向附近，其中分离区域形成在漂流区中。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 沟道 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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