[发明专利]一种碳化硅外延结构的制备方法及半导体设备在审
| 申请号： | 202110042524.7 | 申请日： | 2021-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN112885709A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 周长健;潘尧波;唐军 | 申请（专利权）人： | 中电化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 苗晓娟 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅外延结构的制备方法，对反应腔室进行净化处理；在净化处理之后的所述反应腔室内壁生长碳化硅保护层；将碳化硅衬底放入所述反应腔室内，并对所述碳化硅衬底进行原位刻蚀；在刻蚀后的所述碳化硅衬底上生长碳化硅缓冲层；在所述碳化硅缓冲层上生长N型碳化硅外延层；在所述N型碳化硅外延层上生长P型碳化硅外延层。本发明的制备方法简单，可在同一腔室内完成不同掺杂类型外延层的生长，实现不同掺杂外延层的连续生长，降低碳化硅外延结构的表面缺陷，提高碳化硅器件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 外延 结构 制备 方法 半导体设备 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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