[发明专利]一种化合物半导体器件栅结构缺陷的直流筛选方法在审
| 申请号： | 202110043042.3 | 申请日： | 2021-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN112893195A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 邵国键;林罡;陈韬;陈正廉;俞勇;沈杰;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | B07C5/344 | 分类号： | B07C5/344 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 施昊 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种化合物半导体器件栅结构缺陷的直流筛选方法，步骤依次为：测试化合物半导体器件的初始转移特性；逐次提高漏极电压，多次测试转移特性；绘制不同漏极电压条件下的转移特性曲线，并标注对应的阈值电压；判断阈值电压是否随漏极电压的升高而发生变化，若发生变化，则判定化合物半导体器件栅结构存在缺陷，若未发生变化，则判定化合物半导体器件栅结构完整。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化合物 半导体器件 结构 缺陷 直流 筛选 方法 | ||
【主权项】：
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