[发明专利]降低外延片翘曲度的方法及微显示阵列和Micro-LED的制备方法在审
| 申请号： | 202110043654.2 | 申请日： | 2021-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN112802745A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 刘召军;劳兴超;张珂;莫炜静;刘斌芝 | 申请（专利权）人： | 深圳市思坦科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/308;H01L33/00;H01L33/12;H01L27/15 |
| 代理公司： | 深圳中细软知识产权代理有限公司 44528 | 代理人： | 孙凯乐 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区大浪街*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种降低外延片翘曲度的方法及微显示阵列和Micro‑LED的制备方法，外延片包括由下至上依次层叠设置的衬底、缓冲层、N‑GaN层、有源层以及接触层，包括如下步骤：测试外延片的翘曲度；在翘曲度超过预设值的外延片朝向接触层的一侧上朝向衬底的方向刻蚀沟槽，且N‑GaN层被刻蚀至预设深度。首先对外延片的翘曲度进行测试，筛选出翘曲度超过预设值的外延片，然后在翘曲度超过预设值的外延片朝向接触层的一侧上朝向衬底的方向刻蚀沟槽，且N‑GaN层被刻蚀至预设深度，相较于现有技术，本发明会刻蚀至N‑GaN层，且N‑GaN层上被刻蚀至预设深度，本实施例中的降低外延片翘曲度的方法所刻蚀的沟槽的深度更深，能够更好的释放应力，从而可以降低外延片的翘曲度。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 外延 曲度 方法 显示 阵列 micro led 制备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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