[发明专利]一种半绝缘碳化硅单晶晶圆的制备方法在审
| 申请号： | 202110043756.4 | 申请日： | 2021-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN112760719A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 毛开礼;魏汝省;赵丽霞;戴鑫;李天;乔亮;范云;李斌;靳霄曦 | 申请（专利权）人： | 山西烁科晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/04 | 分类号： | C30B33/04;C30B29/36 |
| 代理公司： | 太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙) 14109 | 代理人： | 崔雪花;冷锦超 |
| 地址： | 030006 山西省太*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： |
本发明提出一种半绝缘碳化硅单晶晶圆的制备方法，属于单晶硅生产加工技术领域；具体是采用高能粒子辐照碳化硅晶片，在碳化硅晶片引入点缺陷，以补偿碳化硅晶片浅能级缺陷；所述碳化硅晶片中的Al杂质浓度＜1E15cm |
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| 搜索关键词： | 一种 绝缘 碳化硅 单晶晶圆 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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