[发明专利]一种半导体击穿电压检测装置有效
| 申请号： | 202110044008.8 | 申请日： | 2021-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN112904168B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 黄水波;李勉伟 | 申请（专利权）人： | 深圳市灿升实业发展有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R31/12 |
| 代理公司： | 北京恒泰铭睿知识产权代理有限公司 11642 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体击穿电压检测技术领域，且公开了一种半导体击穿电压检测装置，包括机体，所述导电块的下方转动安装有工作台，工作台的内部活动安装有活塞杆，第二转杆的右端上方活动安装有移动杆，移动杆的左侧活动安装有推板，推板的下方固定安装有第二电磁铁，控制杆的上方固定安装有控制开关。该半导体击穿电压检测装置，通过二极管放置方向正确，则第一电磁铁吸引磁杆移动，并带动活塞杆移动进行吸气，使得二极管吸附在工作台上方，若二极管的放置方向不正确，则第二电磁铁磁性增大并推动推板向上移动，使得控制杆与控制开关接触，使得导电块内部的电流方向改变，实现了无需区分二极管的正反极自动进行固定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 击穿 电压 检测 装置 | ||
【主权项】：
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