[发明专利]一种耐低温可拉伸固-液双相CuGa2

摘要

本发明提供了一种耐低温可拉伸固‑液双相CuGa2‑GaInSn导电薄膜的制备方法，该方法创新性的在经过等离子及疏基化处理的衬底上依次热蒸镀铜(Cu)原子层、镓(Ga)原子层，然后再将铟(In)、锡(Sn)同时放入真空镀膜机的蒸发槽中，采用共热蒸工艺将铟(In)、锡(Sn)同时蒸镀在镓(Ga)原子层上端，并通过真空加热处理Cu与Ga反应形成固相CuGa2，Ga、In、Sn合金化形成耐低温至‑19℃的液相GaInSn，最终制备了CuGa2‑GaInSn固‑液双相导电薄膜，该方法通过In、Sn原子掺杂液相Ga有效降低液相的凝固温度，提高固‑液薄膜的低温相稳定性，同时采用Cu取代昂贵的Au作为固相活性点，降低了制备成本，该方法制备的CuGa2‑GaInSn固‑液双相导电薄膜可应用于可拉伸导电元器件中，具有非常优异的应用前景。