[发明专利]一种含组合介质深槽的横向耐压区有效

专利信息
申请号: 202110046196.8 申请日: 2021-01-14
公开(公告)号: CN112885889B 公开(公告)日: 2022-06-03
发明(设计)人: 程骏骥;武世英;杨洪强 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/78
代理公司: 北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙) 11870 代理人: 李林合
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种含组合介质深槽的横向耐压区,其包括衬底,衬底上设置有漂移区,漂移区中设置有上端开口的绝缘介质槽,在耐压状态时的介质槽低电位侧设置有P型深槽电容充电电荷补偿区,漂移区槽体的高电位侧设置有N型深槽电容充电电荷补偿区。本发明通过在介质深槽内填充两种不同的介质,在纵向上通过它们横向宽度线性变化形成组合,进而调变深槽电容。调变后的深槽电容可与深槽两侧纵向变化的电势相匹配,使其所需充电电荷沿纵向接近均匀分布。此后采用均匀掺杂就能为深槽电容提供恰当的充电电荷,实现优化该类器件漂移区内电场分布的目的,从而有效改善击穿电压与比导通电阻之间的折中关系。
搜索关键词: 一种 组合 介质 横向 耐压
【主权项】:
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