[发明专利]一种含组合介质深槽的横向耐压区有效
申请号: | 202110046196.8 | 申请日: | 2021-01-14 |
公开(公告)号: | CN112885889B | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | 程骏骥;武世英;杨洪强 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/78 |
代理公司: | 北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙) 11870 | 代理人: | 李林合 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种含组合介质深槽的横向耐压区,其包括衬底,衬底上设置有漂移区,漂移区中设置有上端开口的绝缘介质槽,在耐压状态时的介质槽低电位侧设置有P型深槽电容充电电荷补偿区,漂移区槽体的高电位侧设置有N型深槽电容充电电荷补偿区。本发明通过在介质深槽内填充两种不同的介质,在纵向上通过它们横向宽度线性变化形成组合,进而调变深槽电容。调变后的深槽电容可与深槽两侧纵向变化的电势相匹配,使其所需充电电荷沿纵向接近均匀分布。此后采用均匀掺杂就能为深槽电容提供恰当的充电电荷,实现优化该类器件漂移区内电场分布的目的,从而有效改善击穿电压与比导通电阻之间的折中关系。 | ||
搜索关键词: | 一种 组合 介质 横向 耐压 | ||
【主权项】:
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