[发明专利]半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202110047083.X | 申请日： | 2021-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN114765171A | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 杨宗祐;李信宏;曹瑞哲;邱达伟 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其制作方法，其中该半导体结构包含一基底，具有一第一区域和在所述第一区域周围的一第二区域；至少一第一鳍状结构，设置在所述第一区域内；至少一第二鳍状结构，设置在所述第二区域内；一第一隔离沟槽，设置在所述第一区域内并邻近所述至少一第一鳍状结构；一第一沟槽隔离层，设置在所述第一隔离沟槽中；一第二隔离沟槽，设置在所述第一区域周围并位于所述至少一第一鳍状结构与所述至少一第二鳍状结构之间，其中所述第二隔离沟槽的底面具有一阶梯落差；以及一第二沟槽隔离层，设置在所述第二隔离沟槽中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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