[发明专利]半导体存储装置在审

专利信息
申请号: 202110047552.8 申请日: 2021-01-14
公开(公告)号: CN113555052A 公开(公告)日: 2021-10-26
发明(设计)人: 原田佳和;长井裕士;菊池贤朗 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: G11C16/04 分类号: G11C16/04;G11C8/08;G11C8/14;G11C7/18
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实施方式提供一种能够抑制写入动作的性能劣化且执行插入动作的半导体存储装置。一实施方式的半导体存储装置具备:存储单元,连接于字线;以及控制电路,构成为执行反复进行编程循环的写入动作,所述编程循环包括将编程电压施加于字线的编程动作、及接在编程动作之后继续进行的验证动作。控制电路构成为,在写入动作中,每反复进行一次编程循环,便使编程电压上升第1量,在使写入动作中断的情况下,在重新开始写入动作后第n次(n为1以上的整数)为止的编程动作中,将第1量变更为第2量,所述第2量是小于第1量的正数。
搜索关键词: 半导体 存储 装置
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于铠侠股份有限公司,未经铠侠股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110047552.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top