[发明专利]形成SiCN薄膜在审
| 申请号： | 202110047971.1 | 申请日： | 2021-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN113140621A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | V·沙尔玛 | 申请（专利权）人： | ASMIP控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 张全信 |
| 地址： | 荷兰，*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供在反应空间中的衬底上沉积含硅薄膜，例如SiCN膜的方法。所述方法可包括利用包含卤素的气相硅前体和包含胺反应物的第二气相反应物的气相沉积工艺。在一些实施例中，原子层沉积(ALD)循环包含使所述衬底交替且依次与包含卤素的硅前体和包含胺反应物的第二反应物接触。在一些实施例中，通过使所述衬底与卤代硅烷，例如八氯三硅烷和包含二胺或三胺的胺反应物交替地接触来沉积SiCN薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 sicn 薄膜 | ||
【主权项】：
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