[发明专利]半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 202110048098.8 申请日: 2021-01-14
公开(公告)号: CN113140513A 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: 黄侦晃;谢明哲;张正忠;徐绍华;张书维;魏安祺;王祥保;陈嘉仁 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/8238 分类号: H01L21/8238
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 黄艳
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 本公开涉及一种半导体装置的制造方法。揭示了在半导体装置中形成气体间隔物的方法以及包含气体间隔物的半导体装置。根据一实施例,方法包含在基底上方形成栅极堆叠;在栅极堆叠的侧壁上形成第一栅极间隔物;在第一栅极间隔物的侧壁上形成第二栅极间隔物;使用蚀刻制程移除第二栅极间隔物以形成第一开口,蚀刻制程在小于0℃的温度下进行,蚀刻制程使用包含氟化氢的蚀刻溶液;以及在第一栅极间隔物和栅极堆叠上方沉积介电层,介电层在第一开口中密封气体间隔物。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
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