[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110048972.8 | 申请日： | 2021-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN114765220A | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：形成横跨所述第一鳍部表面的第一伪栅极，且所述第一伪栅极位于所述第一鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面；在所述第一伪栅极两侧的第一鳍部内形成第一开口；在形成所述第一开口后，刻蚀所述第一牺牲层，在相邻两层第一沟道层之间形成第二开口，所述第二开口暴露出的第一牺牲层侧壁相对于所述第一伪栅极侧壁凹陷；在所述第二开口内形成第一内侧墙，可以通过调整所述第二开口的大小来调整所述栅极包裹的第一沟道层(即沟道)的长度，且利于后续栅极的形成，降低栅极内缺陷产生的概率，提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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