[发明专利]半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 202110049102.2 | 申请日： | 2021-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN112864135B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 吴桐 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L49/02;H01L23/367 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：基底，基底具有相对的第一面和第二面；磁芯，磁芯位于基底中，磁芯在第一面上的正投影为封闭环状图形；介质层，介质层位于第二面；螺线管状的金属层，金属层位于基底以及介质层内且绕设于磁芯的周围，且金属层为一体结构，金属层与磁芯之间具有间隔第一面露出部分金属层，介质层远离基底的表面露出部分金属层。本发明实施例有利于提高半导体结构中螺线管电感器的电学性能有利于保证螺线管电感器良好的散热效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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