[发明专利]外延生长镍酸镧及镧锶锰氧薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及外延生长镍酸镧及镧锶锰氧薄膜的制备方法，制备的外延导电氧化物薄膜的化学组成为LaNiO3或La0.7Sr0.3MnO3，所述制备方法包括：配制含可溶性高分子聚合物、溶剂、小分子络合剂和金属盐的前驱体溶液，其中，所述金属盐包括与所述外延导电氧化物薄膜的化学组成对应的摩尔比的镧盐、镍盐、锶盐及锰盐；以及将所述前驱体溶液涂覆在基底表面上，将涂覆有所述前驱体溶液的基底在高于350℃且500℃以下的温度下预烧结后，升温至600～900℃的温度进行烧结，得到所述外延导电氧化物薄膜。