[发明专利]一种宽温度范围工作环境下芯片测试方法有效
| 申请号： | 202110051028.8 | 申请日： | 2021-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN112858885B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 于海超 | 申请（专利权）人： | 强一半导体（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28;G01R1/067;G01R1/073 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明一种宽温度范围工作环境下芯片测试方法属于精密测试计量、微机电系统、IC芯片测试及探针卡技术领域；该方法包括常规温度工作环境下芯片测试方法和超高温工作环境下芯片测试方法，均是先调整中间导板，使探针在中间导板的作用下，向一侧弯曲或使探针不发生弯曲，再将探针接触到裸芯的焊盘或触点上，然后在工作环境温度下，用力挤压探针与裸芯，使待检测的焊盘或触点均有探针接触，最后向裸芯写入测试程序，完成测试；本发明作为面向超高温工作环境下芯片测试的MEMS探针结构及测试方法中的一项关键技术，有利于确保超高温工作环境下，大尺寸或多测试点芯片测试过程中，裸芯与探针之间有效接触，进而有利于对该芯片进行测试。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 温度 范围 工作 环境 芯片 测试 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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