[发明专利]形成半导体元件的方法及其集成电路在审
| 申请号： | 202110052273.0 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN113345801A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 萧志民;赖建文;刘如淦;赖志明;张世明;严永松;张育祯 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成半导体元件的方法及其集成电路，提供形成线端延伸区域的方法以及具有线端延伸区域的元件。在一些实施方式中，一种方法包括在硬光罩层的第一区域上形成图案化光阻。在硬光罩层中形成线端延伸区域。线端延伸区域自硬光罩层的第一区域的末端侧向向外延伸。可通过改变硬光罩层在线端延伸区域的物理性质而形成线端延伸区域。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 元件 方法 及其 集成电路 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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