[发明专利]一种降低单晶铜丝电阻率的方法在审
| 申请号： | 202110053896.X | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN112899694A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 康斯坦丁·诺沃肖洛夫 | 申请（专利权）人： | 康斯坦丁·诺沃肖洛夫 |
| 主分类号： | C23F17/00 | 分类号： | C23F17/00;C22F1/08;C21D1/26;C21D9/52;C23C16/26 |
| 代理公司： | 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251 | 代理人： | 郭桂峰 |
| 地址： | 新加坡，第一工*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低单晶铜丝电阻率的方法，包括以下步骤：S1、将单晶铜丝在非氧化气体和保护气体的氛围下，以500‑1000℃下退火；S2、向单晶铜丝通入含碳气体，在0.1‑760torr下反应0.1‑9999min，而后停止通入含碳气体，并降温至室温后，得到覆盖石墨烯薄膜的单晶铜丝。种降低单晶铜丝电阻率的方法简单易行、重复度高，生长石墨烯之后的单晶铜丝的电阻率大幅度下降。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 铜丝 电阻率 方法 | ||
【主权项】：
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