[发明专利]存储器器件、用于形成其的方法及集成芯片在审
| 申请号： | 202110055248.8 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN113451507A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 李璧伸;金海光;江法伸;匡训冲 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的各种实施例是关于一种存储器器件、用于形成其的方法及集成芯片，所述存储器器件包含上覆衬底的数据存储结构。底部电极上覆衬底且顶部电极上覆底部电极。数据存储结构设置于底部电极与顶部电极之间。数据存储结构包括掺杂有第一掺杂物及第二掺杂物的介电材料，其中第一掺杂物与第二掺杂物不同。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 器件 用于 形成 方法 集成 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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