[发明专利]一种低晶界钙钛矿晶体薄膜、电池及其制备方法

摘要

本发明属于纳米材料及器件技术领域，特别涉及一种低晶界钙钛矿晶体薄膜、低晶界钙钛矿电池及其制备方法。一种低晶界钙钛矿晶体薄膜的制备方法，包括步骤：S1，制备TiO2纳米阵列薄膜；S2，制备前驱体溶液；S3，制备低晶界钙钛矿晶体薄膜，在步骤S3中首次创造性地采用碘化铵辅助合成，能够简化传统的制备工艺，且制得的低晶界钙钛矿晶体薄膜为三维结构，薄膜表面光滑、均匀，整个晶体呈大块状，晶界较少；在此基础上制得的低晶界钙钛矿电池具有优异的光电转换性能和空气稳定性。