[发明专利]一种基于MOSFET SOA的低成本热插拔启动电路及方法有效
| 申请号： | 202110055555.6 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN112910429B | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 李颖超;孙辉 | 申请（专利权）人： | 苏州浪潮智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45 |
| 代理公司： | 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 | 代理人： | 王敏 |
| 地址： | 215100 江苏省苏州市吴*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种基于MOSFETSOA的低成本热插拔启动电路，包括MOSFETQ、电压采集模块、电流采集模块、控制模块和驱动电路，所述电压采集模块用于采集MOSFETQ漏源极两端的电压Vds，所述电流采集模块用于采集MOSFETQ漏源极两端的启动电流Isense，所述控制模块用于接收MOSFETQ漏源极两端电压和电流，并控制驱动电路调整MOSFETQ的栅极电压；本发明实施例还公开了一种基于MOSFETSOA的低成本热插拔启动方法，应用于所述电路。本发明解决了现有技术中不能充分利用MOSFET的SOA导致过设计的问题，和功率增大导致重新评估、选择更高规格MOSFET、增加设计难度及周期的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mosfet soa 低成本 热插拔 启动 电路 方法 | ||
【主权项】：
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