[发明专利]一种场效应晶体管的接触孔链电阻的监控结构有效
| 申请号： | 202110057448.7 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN112885813B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 杨丽侠;薛智民;刘存生;曹磊;邢鸿雁;王晨杰 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L23/48 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李鹏威 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种场效应晶体管的接触孔链电阻的监控结构，在N+孔链中增加部分区域，尤其是在孔接触区域增加P+注入，与原有孔链结构兼容，结构实现简单，监控结果对比显著，若出现新型结构孔链电阻偏小，而P+孔链电阻正常，可以轻松定位异常工序。本发明PN结孔链结构，在相同的工艺过程中，更能反映出工艺过程的波动，相对N+孔链、P+孔链结构，能更敏感的反映出工艺过程的变化，真实的反映产品批次间导通电阻的变化趋势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 接触 电阻 监控 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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