[发明专利]一种基于GaN HEMT的开关集成芯片与制作方法有效
| 申请号： | 202110059356.2 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN112786538B | 公开（公告）日： | 2023-05-19 |
| 发明（设计）人： | 樊永辉;许明伟;樊晓兵 | 申请（专利权）人： | 深圳市汇芯通信技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8258 | 分类号： | H01L21/8258;H01L27/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 518035 广东省深圳市福田区华富街道莲*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种基于氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT的开关集成芯片与制作方法，包括：提供硅基GaN晶圆(包括硅基衬底和GaN外延层X)，GaN外延层X包括目标区域GaN外延层X1和非目标区域GaN外延层X2；采用刻蚀工艺去除非目标区域GaN外延层X2，在硅基衬底的上端面形成用于制作Si CMOS开关控制电路的Si CMOS器件区域；在目标区域GaN外延层X1上形成用于制作GaN HEMT开关电路的GaN HEMT器件区域。采用本申请实施例的方法，实现了在同一芯片上集成制作GaN HEMT开关电路和Si CMOS开关控制电路，提升器件集成度、减小芯片面积和成本、提升器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 gan hemt 开关 集成 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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