[发明专利]三维存储器结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202110059400.X | 申请日： | 2021-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN112786607B | 公开（公告）日： | 2023-01-20 |
| 发明（设计）人： | 张坤 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/10 | 分类号： | H10B43/10;H10B43/27;H10B43/35;H10B43/40 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种三维存储器结构及其制备方法，所述三维存储器结构包括第一半导体层；第二半导体层，设置于所述第一半导体层上；第一支撑结构，所述第一支撑结构贯穿所述第二半导体层，且所述第一支撑结构的位置与底部选择栅切槽和/或顶部选择栅切槽的位置相对应；栅堆叠结构，设置于所述第二半导体层上；垂直沟道结构，所述垂直沟道结构包括贯穿所述栅堆叠结构和所述第一支撑结构至所述第一半导体层内第一垂直沟道结构。利用本发明，在不影响器件存储容量的前提下，通过设置第一支撑结构可以加强三维存储器结构的应力，改善三维存储器结构的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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